主要指标:样品最大6英寸;本底真空<7*10-5Pa;衬底加温范围为室温~600℃;厚度均匀性优于±5%;可制备SiO2和SiN薄膜
生产厂商:PECVD350
所在实验室:纳米光电材料与微结构研究中心
存放位置:逸夫楼B245
联系人:程淼
联系电话:登录后查看
收费标准:校外800/小时、校内400/小时
设备状态:
主要指标:样品最大6英寸;本底真空<7*10-5Pa;衬底加温范围为室温~600℃;厚度均匀性优于±5%;可制备SiO2和SiN薄膜