主要指标:曝光面积40mm*20mm;极限线宽:拼接场内100nm;单一场内50~100nm;图形套刻与拼接精度<20nm;电镜分辨率3nm;最大倍数30万倍,满足80nm以上图形曝光
生产厂商:日本电子JSM-IT100型SEM+图形发生器NPGS V9.1型
所在实验室:纳米光电材料与微结构研究中心
存放位置:逸夫楼B245
联系人:胡敬
联系电话:登录后查看
收费标准:校外2000/小时、校内1000/小时
设备状态:
主要指标:曝光面积40mm*20mm;极限线宽:拼接场内100nm;单一场内50~100nm;图形套刻与拼接精度<20nm;电镜分辨率3nm;最大倍数30万倍,满足80nm以上图形曝光